电容器增加电流并将功率因数增加到电动机。
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Our Ignition Insulated Gate Bipolar Transistor (Ignition IGBT)技术具有整合ESD和过电压的整体电路夹紧保护用于电感线圈驱动器应用。
我gnition IGBT, N-Channel, 20 A, 400 V
TYP BVCES@我C(v):400
我Cmax (A):20
vCE(星期六)(v):1.3
我gnition IGBT, N-Channel, 18 A, 400 V
我Cmax (A):18
vCE(星期六)(v):1.8
点火IGBT,15 A,410 V
TYP BVCES@我C(v):410
我Cmax (A):15
vCE(星期六)(v):1.9
点火IGBT,N通道,20 A,450 V
TYP BVCES@我C(v):450
vCE(星期六)(v):1.1
我gnition IGBT, N-Channel, 20 A, 365 V
TYP BVCES@我C(v):365
vCE(星期六)(v):1.5
点火IGBT,N通道,20 A,350 V
TYP BVCES@我C(v):350
点火IGBT 18 A,450 V
vCE(星期六)(v):2。07
点火IGBT,12 a,410 V
我Cmax (A):12
vCE(星期六)(v):2
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