MOSFET x2
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SMPS中的主切换晶体管
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低RD(ON):低门电荷,DV/DT耐加度
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IGBT MIXA,,,,MIXG |
开关电源 |
用薄晶片技术崎and的设计;短路额定为10μsec,低门电荷;低EMI和竞争性低Vce(sat)
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二极管模块 SP3213,,,,PESD |
开关电源 |
用薄晶片技术崎and的设计;短路额定为10μsec;低门电荷;低EMI和竞争性 |
二极管数组 SP1012,,,,SP1003,,,,AQXX-02HTG
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保护敏感的电子零件免受电压瞬变
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Ultra-low capacitance; compact form factor; low clamping voltage, low leakage current; industry’s smallest footprint available (0201) |
电视二极管 SMCJ,,,,P6KE,,,,P6SMB |
Protect sensitive electronic components from voltage transients |
600 W峰值脉冲能力;玻璃钝的芯片连接点 |
聚合物ESD抑制器 PGB10603,,,,PGB10402 |
保护Wi-Fi芯片组免受用户诱导的ESD事件 |
Ultra-low capacitance; compact form factor; low leakage current; fast response |
电视阵列 SPXX,,,,SACB,,,,smaj,,,,SMBJ,,,,PESD,,,,SP3213,,,,SM712 |
保护ICS免受ESD的侵害 |
出色的夹紧能力,低电容为1.0 pf/i/o |
门驱动器 IX4340 |
High side and low side gate driver for动力MOSFET |
Capable of sourcing and sinking up to 5 A |
scr SJXX08XSX/SJXX08XX |
触发机电继电器disengage electrical contacts during fault |
高达600 V功能;高潮能力高达100 A |
移动 洛杉矶,,,,C-III,,,,Ultramov |
保护动力单元免受交流线上的闪电和其他电压瞬变 |
可以遇到广泛的激增承受能力规格:40 J - 530 J(2 ms) |