MOSFETs X2
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SMPS中的主切换晶体管
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低RD(ON):低门电荷,DV/DT耐加度
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IGBT 混音,,,,混合物 |
Switching power supplies |
用薄晶片技术崎and的设计;短路额定为10μsec,低门电荷;低EMI和竞争性低VCE(星期六)
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二极管模块 SP3213,,,,PESD |
Switching power supplies |
用薄晶片技术崎and的设计;短路额定为10μsec;低门电荷;低EMI和竞争性 |
二极管数组 SP1012,,,,SP1003,,,,AQXX-02HTG
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Protect sensitive electronic parts from voltage transients
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超低电容;紧凑的外形;低夹压电压,低泄漏电流;行业最小的占地面积(0201) |
电视二极管 SMCJ,,,,p6ke,,,,P6SMB |
保护敏感的电子组件免受电压瞬变 |
600 W peak pulse capability; glass passivated chip junction |
聚合物ESD抑制器 PGB10603,,,,PGB10402 |
保护Wi-Fi芯片组免受用户诱导的ESD事件 |
超低电容;紧凑的外形;低泄漏电流;反应快 |
电视阵列 SPXX,,,,SACB,,,,smaj,,,,SMBJ,,,,PESD,,,,SP3213,,,,SM712 |
保护ICS免受ESD的侵害 |
出色的夹紧能力,低电容为1.0 pf/i/o |
门驱动器 IX4340 |
高侧和低侧门驱动器动力MOSFET |
能够采购和下沉5 A |
scr SJxx08xSx/SJxx08xx |
Triggers electro-mechanical relay to故障期间脱离电气接触 |
高达600 V功能;高潮能力高达100 A |
MOV 洛杉矶,,,,C-III,,,,Ultramov |
保护动力单元免受交流线上的闪电和其他电压瞬变 |
可以遇到广泛的激增承受能力specifications: 40 J – 530 J (2 mS) |