电容器增加电流并将功率因数增加到电动机。
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沟槽大门动力MOSFET需要极低RDS(ON),因此可以保证极低的功率耗散。此功能与操作连接温度相结合从-40°C到175°C,使其适合低电压/高电流操作,例如汽车应用。
55V -300V沟槽门功率MOSFET带有HiperFet™选项
vDSS(v):55、75、85、100、150、200、250、280、300
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.0023、0.0026、0.0029、0.0047、0.005、0.0053、0.0055、0.006、0.0064、0.007更多的
我D,续@ 25℃(a):32、33、42、44、46、48、50、55、56、60更多的
40V -175V沟槽门功率MOSFET带有HiperFet™选项
vDSS(v):40、55、65、75、100、120、150、170、175
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.001、0.0013、0.0015、0.0016、0.0018、0.0019、0.002、0.0022、0.0023、0.0024更多的
我D,续@ 25℃(a):70、76、80、90、100、110、120、130、140、150更多的
带有HiperFet™选项的60V沟槽大门电源MOSFET
vDSS(v):60
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.0031,0.004
我D,续@ 25℃(a):220,270
36V -40V沟槽门电源MOSFET带有HiperFet™选项
vDSS(v):36,40
rDS(ON),最大@ 25℃(欧姆):0.00085、0.001、0.00125、0.0017、0.0019、0.0022、0.0024、0.0029
我D,续@ 25℃(a):230、270、340、380、440、660
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